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具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

张傲翔王瑶王梦真魏士钦王芳刘玉怀

量子电子学报2022，Vol.39Issue(4)：583-590,8.

量子电子学报2022，Vol.39Issue(4)：583-590,8.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2022.04.013

具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

Performance optimization of AlGaN-based deep ultraviolet laser diode with M-shaped hole barrier structure

张傲翔 ¹王瑶 ¹王梦真 ¹魏士钦 ¹王芳 ¹刘玉怀²

作者信息

1. 郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南郑州 450001
2. 郑州唯独电子科技有限公司,河南郑州 450001
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摘要

关键词

激光技术/深紫外激光二极管/AlGaN/M形空穴阻挡层/空穴泄露

分类

数理科学

引用本文复制引用

张傲翔,王瑶,王梦真,魏士钦,王芳,刘玉怀..具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化[J].量子电子学报,2022,39(4):583-590,8.

基金项目

Supported by National Key Research and Development Program(国家重点研发计划,2016YFE0118400),Zhengzhou 1125 Innovation Project(郑州市 1125 科技创新项目,ZZ2018-45),Ningbo 2025 Key Innovation Project(宁波市重大科技创新专项,2019B10129) （国家重点研发计划,2016YFE0118400）

量子电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1007-5461

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