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退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响

廖杨芳谢泉

量子电子学报2022，Vol.39Issue(4)：644-650,7.

量子电子学报2022，Vol.39Issue(4)：644-650,7.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2022.04.020

退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响

Effects of annealing temperature and annealing time on structure of Mg2Si films on different substrates

廖杨芳 ¹谢泉²

作者信息

1. 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳 550001
2. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳 550025
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摘要

关键词

材料/薄膜/Mg2Si/退火温度/退火时间/衬底

分类

信息技术与安全科学

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廖杨芳,谢泉..退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响[J].量子电子学报,2022,39(4):644-650,7.

基金项目

Supported by Guizhou Provincial Science and Technology Foundation(贵州省科技计划项目,黔科合基础[2019]1225号),Doctoral Research Program of Guizhou Normal University,China(贵州师范大学资助博士科研项目,GZNUD[2018]15 号) （贵州省科技计划项目,黔科合基础[2019]1225号）

量子电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1007-5461

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