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溅射ScAlN对6英寸蓝宝石衬底上GaN HEMT的曲率影响

王波 房玉龙 尹甲运 张志荣 李佳 芦伟立 高楠 牛晨亮 陈宏泰

标准科学Issue(z1):224-228,5.
标准科学Issue(z1):224-228,5.

溅射ScAlN对6英寸蓝宝石衬底上GaN HEMT的曲率影响

Effect of Sputtered ScAlN on GaN HEMT on 6-inch Sapphire Substrate

王波 1房玉龙 1尹甲运 1张志荣 1李佳 1芦伟立 1高楠 1牛晨亮 1陈宏泰1

作者信息

  • 1. 河北半导体所
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摘要

关键词

氮化镓/ScAlN/曲率/6英寸AlN/蓝宝石模板

引用本文复制引用

王波,房玉龙,尹甲运,张志荣,李佳,芦伟立,高楠,牛晨亮,陈宏泰..溅射ScAlN对6英寸蓝宝石衬底上GaN HEMT的曲率影响[J].标准科学,2022,(z1):224-228,5.

标准科学

1674-5698

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