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一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

齐贺飞 王磊 王鑫 王绍权 张梦月

现代信息科技2022,Vol.6Issue(12):52-55,4.
现代信息科技2022,Vol.6Issue(12):52-55,4.DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.012.013

一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

Design of a Low Phase Noise Voltage Controlled Oscillator Based on CMOS Process

齐贺飞 1王磊 1王鑫 1王绍权 1张梦月1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
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摘要

关键词

压控振荡器/可变电容/相位噪声

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

齐贺飞,王磊,王鑫,王绍权,张梦月..一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计[J].现代信息科技,2022,6(12):52-55,4.

现代信息科技

2096-4706

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