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AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展

季启政 刘峻 杨铭 胡小锋 万发雨 刘尚合

航天器环境工程2022，Vol.39Issue(4)：P.436-445,10.
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航天器环境工程2022，Vol.39Issue(4)：P.436-445,10.DOI:10.12126/see.2022.04.016

AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展

季启政 1刘峻 2杨铭 3胡小锋 4万发雨 2刘尚合4

作者信息

  • 1. 中国人民解放军陆军工程大学电磁环境效应重点实验室,石家庄050003 北京卫星环境工程研究所,北京100094
  • 2. 南京信息工程大学电子与信息工程学院,南京210044
  • 3. 北京东方计量测试研究所,北京100086
  • 4. 中国人民解放军陆军工程大学电磁环境效应重点实验室,石家庄050003
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摘要

关键词

氮化镓/高电子迁移率晶体管/质子辐照/位移损伤/压电极化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

季启政,刘峻,杨铭,胡小锋,万发雨,刘尚合..AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展[J].航天器环境工程,2022,39(4):P.436-445,10.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金项目(编号:61904007)。 （编号:61904007）

航天器环境工程

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-1379

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