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Al_(x)Ga_(1–x)N插入层对双沟道n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN HEMT器件性能的影响

蔡静 姚若河 耿魁伟

物理学报2022，Vol.71Issue(16)：P.325-334,10.
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物理学报2022，Vol.71Issue(16)：P.325-334,10.DOI:10.7498/aps.71.20220403

Al_(x)Ga_(1–x)N插入层对双沟道n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN HEMT器件性能的影响

蔡静 1姚若河 1耿魁伟2

作者信息

  • 1. 华南理工大学微电子学院,广州510640
  • 2. 华南理工大学微电子学院,广州510640 中新国际联合研究院,广州510700
  • 折叠

摘要

关键词

双沟道/2 DEG/迁移率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡静,姚若河,耿魁伟..Al_(x)Ga_(1–x)N插入层对双沟道n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN HEMT器件性能的影响[J].物理学报,2022,71(16):P.325-334,10.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100) （批准号:2018YFB1802100）

广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题。 （批准号:2019B010143003）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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