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硅源反应时间对中空碳球电化学性能的影响

赵莲莲 狄富富 王晓楠 任素贞

电池2022,Vol.52Issue(4):367-371,5.
电池2022,Vol.52Issue(4):367-371,5.DOI:10.19535/j.1001-1579.2022.04.003

硅源反应时间对中空碳球电化学性能的影响

Effect of reaction time of silicon source on electrochemical performance of hollow carbon spheres

赵莲莲 1狄富富 1王晓楠 1任素贞1

作者信息

  • 1. 大连理工大学化工学院,精细化工国家重点实验室,辽宁大连 116023
  • 折叠

摘要

关键词

中空碳球/反应时间/硬模板法/电化学性能/超级电容器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵莲莲,狄富富,王晓楠,任素贞..硅源反应时间对中空碳球电化学性能的影响[J].电池,2022,52(4):367-371,5.

基金项目

致谢:本工作得到济南明珠有限责任公司(1000-12020111)的大力资助,特此致谢. (1000-12020111)

电池

OA北大核心CSTPCD

1001-1579

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