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多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现

姜琪 韩攀阳 杜婷 李兴辉 蔡军 冯进军

真空电子技术Issue(4):P.60-66,7.
真空电子技术Issue(4):P.60-66,7.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2022.04.11

多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现

姜琪 1韩攀阳 1杜婷 1李兴辉 1蔡军 1冯进军1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十二研究所微波电真空器件国家级重点实验室,北京100015
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摘要

关键词

多绝缘层结构/Spindt阴极/变性光刻胶去除/微加工

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜琪,韩攀阳,杜婷,李兴辉,蔡军,冯进军..多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现[J].真空电子技术,2022,(4):P.60-66,7.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(61831001)。 (61831001)

真空电子技术

1002-8935

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