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硅通孔内铜电沉积填充机理研究进展(英文)

孙云娜 吴永进 谢东东 蔡涵 王艳 丁桂甫

电化学2022，Vol.28Issue(7)：P.7-22,16.
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电化学2022，Vol.28Issue(7)：P.7-22,16.DOI:10.13208/j.electrochem.2213001

硅通孔内铜电沉积填充机理研究进展(英文)

孙云娜 1吴永进 1谢东东 1蔡涵 1王艳 2丁桂甫2

作者信息

  • 1. 上海交通大学,微米纳米加工技术国家级重点实验室,中国上海200240 上海交通大学电子信息与电气工程学院,中国上海200240
  • 2. 上海交通大学,微米纳米加工技术国家级重点实验室,中国上海200240
  • 折叠

摘要

关键词

硅通孔/数值模拟/铜电沉积机理/任意拉格朗日-欧拉/2.5D转接板

分类

化学化工

引用本文复制引用

孙云娜,吴永进,谢东东,蔡涵,王艳,丁桂甫..硅通孔内铜电沉积填充机理研究进展(英文)[J].电化学,2022,28(7):P.7-22,16.

基金项目

supported by the National Key Research and Development Program of China (No. 2021YFB2011800) （No. 2021YFB2011800）

Consultation and Evaluation Project of the Faculty of the Chinese Academy of Sciences (No. 2020-HX02-B-030)。 （No. 2020-HX02-B-030）

电化学

OA北大核心CSTPCD

1006-3471

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