大连理工大学学报2021，Vol.61Issue(5)：531-536,6.DOI:10.7511/dllgxb202105012
Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究
Hydrogen sensing characteristics study of Pd/Pt modified AlGaN/GaN HEMT device
摘要
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管/Pd/Pt合金/氢传感器/氢吸附分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨勇强,张贺秋,薛东阳,梁红伟,夏晓川,徐瑞良,梁永凤,韩永坤,陈帅昊..Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究[J].大连理工大学学报,2021,61(5):531-536,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11975257,11675198,12075045,11875097,61574026,61774072) （11975257,11675198,12075045,11875097,61574026,61774072）
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45) （DUT20RC(3）
大连市科技创新基金资助项目(2018J12GX060). （2018J12GX060）
