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射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga2O3:Cr薄膜光致发光性能的影响

赵鑫 刘粉红 张晓东 刘昌龙

人工晶体学报2022,Vol.51Issue(8):1353-1360,8.
人工晶体学报2022,Vol.51Issue(8):1353-1360,8.

射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga2O3:Cr薄膜光致发光性能的影响

Influence of Oxygen Flow Rate on the Photoluminescence Properties of Ga2 O3:Cr Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

赵鑫 1刘粉红 1张晓东 1刘昌龙1

作者信息

  • 1. 天津大学理学院,天津 300354
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摘要

关键词

Ga2O3:Cr薄膜/射频磁控溅射/蓝宝石基底/氧气流量/退火/光学性能/结晶质量

分类

数理科学

引用本文复制引用

赵鑫,刘粉红,张晓东,刘昌龙..射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga2O3:Cr薄膜光致发光性能的影响[J].人工晶体学报,2022,51(8):1353-1360,8.

基金项目

国家自然科学基金(11675120,11535008) (11675120,11535008)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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