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容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究

宋柳琴 贾文柱 董婉 张逸凡 戴忠玲 宋远红

物理学报2022，Vol.71Issue(17)：1-13,13.
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物理学报2022，Vol.71Issue(17)：1-13,13.DOI:10.7498/aps.71.20220493

容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究

Numerical investigation of SiO2 film deposition enhanced by capacitively coupled discharge plasma

宋柳琴 1贾文柱 2董婉 1张逸凡 1戴忠玲 1宋远红1

作者信息

  • 1. 大连理工大学物理学院,三束材料改性教育部重点实验室,大连 116024
  • 2. 西南大学人工智能学院,重庆 400715
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摘要

关键词

等离子体增强化学气相沉积/薄膜沉积/表面反应

引用本文复制引用

宋柳琴,贾文柱,董婉,张逸凡,戴忠玲,宋远红..容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究[J].物理学报,2022,71(17):1-13,13.

基金项目

*国家自然科学基金(批准号:12020101005,11975067,12005176)资助的课题. （批准号:12020101005,11975067,12005176）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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