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重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理

彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 陈义强 路国光 黄云

物理学报2022,Vol.71Issue(17):247-254,8.
物理学报2022,Vol.71Issue(17):247-254,8.DOI:10.7498/aps.71.20220628

重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理

Damage mechanism of SiC Schottky barrier diode irradiated by heavy ions

彭超 1雷志锋 1张战刚 1何玉娟 1陈义强 1路国光 1黄云1

作者信息

  • 1. 工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广州 511370
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摘要

关键词

SiC功率器件/肖特基势垒二极管/重离子辐射效应

引用本文复制引用

彭超,雷志锋,张战刚,何玉娟,陈义强,路国光,黄云..重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理[J].物理学报,2022,71(17):247-254,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12075065)、广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2019A1515012213,2021B1515120043)和广州市科技计划(批准号:202102021201)资助的课题. (批准号:12075065)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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