工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度预测OA北大核心CSTPCD
Prediction for subsurface damage depth of silicon wafers in workpiece rotational grinding
工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平整化加工和背面减薄加工的主要方法,但磨削加工不可避免地会在硅片表面/亚表面产生损伤.为了预测工件旋转法磨削硅片产生的亚表面损伤深度,优化硅片磨削工艺,根据工件旋转法磨削过程中硅片磨削表面的几何轮廓参数、硅片磨削表面的材料去除机理和压痕断裂力学理论建立了磨粒切削深度、表面粗糙度Ra和亚表面损伤深度之间的数学关系,推导出工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度预测模型,并通过硅片超精密磨削试验对模型进行了验证与分析.结果表明…查看全部>>
高尚;李天润;郎鸿业;杨鑫;康仁科
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024
信息技术与安全科学
磨削单晶硅片表面粗糙度亚表面损伤深度
《光学精密工程》 2022 (17)
2077-2087,11
国家自然科学基金重大项目(No.51991372)国家自然科学基金面上项目(No.51975091)国家自然科学基金重点项目(No.51735004)国家重点研发计划项目(No.2018YFB1201804-1)
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