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负电子亲和半导体的二次电子发射

刘亦凡 谢爱根 董洪杰

空间电子技术2022,Vol.19Issue(4):30-49,20.
空间电子技术2022,Vol.19Issue(4):30-49,20.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2022.04.005

负电子亲和半导体的二次电子发射

Secondary electron emission from negative electron affinity semiconductors

刘亦凡 1谢爱根 1董洪杰1

作者信息

  • 1. 南京信息工程大学 物理与光电工程学院 ,南京210044
  • 折叠

摘要

关键词

负电子亲和力/二次电子产额/概率/二次电子的平均逃逸深度/半导体

分类

航空航天

引用本文复制引用

刘亦凡,谢爱根,董洪杰..负电子亲和半导体的二次电子发射[J].空间电子技术,2022,19(4):30-49,20.

基金项目

国家自然科学基金(编号:11704194 ()

11873013) ()

空间电子技术

1674-7135

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