深圳大学学报（理工版）2022，Vol.39Issue(5)：504-508,5.DOI:10.3724/SP.J.1249.2022.05504
高纯锗单晶的制备与位错密度分析
Preparation of high purity germanium single crystal and analysis of dislocation density
摘要
关键词
半导体材料/晶体/高纯锗制备/高纯锗探测器/单晶生长/位错密度/直拉法分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郝昕,甘林,胡世鹏,罗奇,吴正新,钟健,赵海歌,孙慧斌..高纯锗单晶的制备与位错密度分析[J].深圳大学学报（理工版）,2022,39(5):504-508,5.基金项目
国家自然科学青年基金资助项目(11905136) （11905136）
广东省自然科学基金资助项目(2018A030310636) （2018A030310636）
广东省重点领域研发计划资助项目(2020B040420005) （2020B040420005）
