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基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析

王浩南 曹玉峰 赖耀康 胡彩霞 张宏宇 王梓丞 翟国富

电器与能效管理技术Issue(8)：39-43,5.
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电器与能效管理技术Issue(8)：39-43,5.DOI:10.16628/j.cnki.2095-8188.2022.08.006

基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析

Thermal Analysis of SiC MOSFET Power Module Based on Die Package

王浩南 1曹玉峰 2赖耀康 2胡彩霞 3张宏宇 1王梓丞 1翟国富1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江哈尔滨150001
  • 2. 北京市科通电子继电器总厂有限公司,北京 100176
  • 3. 北京航天自动控制研究所,北京 100854
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摘要

关键词

SiC MOSFET/裸片封装/热路理论/固态功率控制器/有限元热仿真

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王浩南,曹玉峰,赖耀康,胡彩霞,张宏宇,王梓丞,翟国富..基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析[J].电器与能效管理技术,2022,(8):39-43,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(61671172) （61671172）

电器与能效管理技术

2095-8188

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