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SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响

刘建科 陈姣姣 曹文斌 苏锦锋 李智智 徐荣凯 刘士花

硅酸盐学报2022,Vol.50Issue(9):2366-2373,8.
硅酸盐学报2022,Vol.50Issue(9):2366-2373,8.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20220158

SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响

Effect of SiO2 Doping on Electrical Properties of ZnO–Bi2O3 Based Varistor Ceramics

刘建科 1陈姣姣 1曹文斌 1苏锦锋 1李智智 1徐荣凯 1刘士花1

作者信息

  • 1. 陕西科技大学半导体材料与器件中心,西安 710021
  • 折叠

摘要

关键词

二氧化硅/氧化锌/压敏陶瓷/晶界势垒/非线性系数/电容–电压特性法

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘建科,陈姣姣,曹文斌,苏锦锋,李智智,徐荣凯,刘士花..SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响[J].硅酸盐学报,2022,50(9):2366-2373,8.

基金项目

国家自然科学基金(51802183)资助. (51802183)

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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