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基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究

赵奕昕 刘守城 颜伟 祝志博 居铭

南京师范大学学报（工程技术版）2022，Vol.22Issue(3)：30-37,8.
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南京师范大学学报（工程技术版）2022，Vol.22Issue(3)：30-37,8.DOI:10.3969/j.issn.1672-1292.2022.03.005

基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究

Study on Modeling of Silicon Carbide MOSFET Based on Levenberg-Marquardt Algorithm

赵奕昕 1刘守城 2颜伟 1祝志博 2居铭1

作者信息

  • 1. 南京师范大学南瑞电气与自动化学院,江苏 南京210023
  • 2. 南京师范大学江苏省电气装备与电磁兼容工程实验室,江苏 南京210023
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/静态特性建模/动态行为模型/寄生非线性电容/Levenberg-Marquardt算法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵奕昕,刘守城,颜伟,祝志博,居铭..基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究[J].南京师范大学学报（工程技术版）,2022,22(3):30-37,8.

基金项目

国家自然科学基金项目(52107005). （52107005）

南京师范大学学报（工程技术版）

1672-1292

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