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InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究

郑晓虎 张建峰 杜瑞瑞

物理学报2022，Vol.71Issue(18)：215-223,9.
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物理学报2022，Vol.71Issue(18)：215-223,9.DOI:10.7498/aps.71.20221024

InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究

Comparative study on epitaxial growth of stanene and bismuthene on InSb(111) substrate

郑晓虎 1张建峰 2杜瑞瑞1

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院,量子材料科学中心,北京 100871
  • 2. 北京量子信息科学研究院,北京 100193
  • 折叠

摘要

关键词

低维拓扑绝缘体/锡烯/铋烯/分子束外延

引用本文复制引用

郑晓虎,张建峰,杜瑞瑞..InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究[J].物理学报,2022,71(18):215-223,9.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFA0303300, 2019YFA0308400)和中国科学院战略性先导科技专项(批准号:XDB28000000)资助的课题. （批准号:2017YFA0303300, 2019YFA0308400）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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