InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究OA北大核心CSTPCD
Comparative study on epitaxial growth of stanene and bismuthene on InSb(111) substrate
近些年, 人们对拓扑材料体系的认知得到了飞速发展. 随着量子信息科学与技术成为当下科学研究的热点, 具有大能隙高稳定性的低维拓扑材料有从基础研究向应用探索的趋势发展. 如何实现高质量、大面积的单晶生长是影响拓扑材料走向实用化的重要一步. 本文报道了在具有Sb原子终止面的InSb(111)衬底上利用分子束外延技术生长低维拓扑绝缘体锡烯与铋烯的实验结果. 实验中发现, 无论是锡烯还是铋烯, 起始外延阶段都会在衬底上形成单层的浸润层. 由于锡原子之间的…查看全部>>
郑晓虎;张建峰;杜瑞瑞
北京大学物理学院,量子材料科学中心,北京 100871北京量子信息科学研究院,北京 100193北京大学物理学院,量子材料科学中心,北京 100871
低维拓扑绝缘体锡烯铋烯分子束外延
《物理学报》 2022 (18)
215-223,9
国家重点研发计划(批准号:2017YFA0303300, 2019YFA0308400)和中国科学院战略性先导科技专项(批准号:XDB28000000)资助的课题.
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