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重掺杂多晶硅薄膜中磷氧化物的探究

王艺琳 兰自轩 杜汇伟 赵磊 马忠权

物理学报2022，Vol.71Issue(18)：356-362,7.
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物理学报2022，Vol.71Issue(18)：356-362,7.DOI:10.7498/aps.71.20220706

重掺杂多晶硅薄膜中磷氧化物的探究

Phosphorus oxides in heavily doped polysilicon films

王艺琳 1兰自轩 1杜汇伟 2赵磊 1马忠权1

作者信息

  • 1. 上海大学物理系,上海大学索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海 200444
  • 2. 中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018
  • 折叠

摘要

关键词

多晶硅(n+)/磷氧化物/硅氧化物/光电子谱/深度刻蚀分析

引用本文复制引用

王艺琳,兰自轩,杜汇伟,赵磊,马忠权..重掺杂多晶硅薄膜中磷氧化物的探究[J].物理学报,2022,71(18):356-362,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61874070, 61674099, 61274067)和上海大学索朗光伏材料与器件R&D联合实验室基金(批准号:SS-E0700601)资助的课题. （批准号:61874070, 61674099, 61274067）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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