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SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真

张晋新 郭红霞 吕玲 王信 潘霄宇

太赫兹科学与电子信息学报2022,Vol.20Issue(9):869-876,8.
太赫兹科学与电子信息学报2022,Vol.20Issue(9):869-876,8.DOI:10.11805/TKYDA2021439

SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真

Simulation on key influencing factors of Single Event Effects on SiGe HBT

张晋新 1郭红霞 2吕玲 1王信 3潘霄宇2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学 极端环境下装备效能教育部重点实验室,陕西 西安 710126
  • 2. 西北核技术研究所,陕西 西安 710024
  • 3. 中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 折叠

摘要

关键词

锗硅异质结双极晶体管/单粒子效应/极端环境/数值仿真

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张晋新,郭红霞,吕玲,王信,潘霄宇..SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):869-876,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11805270 ()

12005159 ()

61704127) ()

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

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