浮栅器件的单粒子翻转效应

琚安安冯亚辉郭红霞丁李利刘建成张凤祁张鸿柳奕天顾朝桥刘晔

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：877-883,914,8.

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：877-883,914,8.DOI:10.11805/TKYDA2021440

Study on Single Event Upset of floating gate device

琚安安 ¹冯亚辉 ²郭红霞 ¹丁李利 ³刘建成 ³张凤祁 ⁴张鸿 ³柳奕天 ¹顾朝桥 ¹刘晔¹

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NOR型Flash存储器/重离子/单粒子效应/总剂量效应/协同效应

信息技术与安全科学

琚安安,冯亚辉,郭红霞,丁李利,刘建成,张凤祁,张鸿,柳奕天,顾朝桥,刘晔..浮栅器件的单粒子翻转效应[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):877-883,914,8.

国家自然科学基金资助项目(11875229 （）

51872251) （）

OACSTPCD

ISSN：2095-4980

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