太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：884-896,13.DOI:10.11805/TKYDA2021444
SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理
Radiation effects of SiC JBS diodes and SiC MOSFETs
张鸿 1郭红霞 2顾朝桥 1柳奕天 1张凤祁 2潘霄宇 2琚安安 1刘晔 1冯亚辉1
作者信息
- 1. 湘潭大学 材料科学与工程学院,湖南 湘潭 411105
- 2. 西北核技术研究所,陕西 西安 710024
- 折叠
摘要
关键词
碳化硅结型肖特基二极管/碳化硅场效应晶体管/单粒子烧毁/计算机辅助设计/总剂量效应/位移损伤效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张鸿,郭红霞,顾朝桥,柳奕天,张凤祁,潘霄宇,琚安安,刘晔,冯亚辉..SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):884-896,13.
