|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|太赫兹科学与电子信息学报|电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响

电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响

魏莹 崔江维 蒲晓娟 崔旭 梁晓雯 王嘉 郭旗

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：903-907,5.
✕
太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：903-907,5.DOI:10.11805/TKYDA2022007

电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响

Investigation of the effect of total ionization dose on time-dependent dielectric breakdown for HfO22-based gate dielectrics

魏莹 1崔江维 2蒲晓娟 3崔旭 1梁晓雯 2王嘉 3郭旗1

作者信息

  • 1. 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 3. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

电离总剂量效应/高k栅介质/经时击穿效应/辐射陷阱电荷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

魏莹,崔江维,蒲晓娟,崔旭,梁晓雯,王嘉,郭旗..电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):903-907,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11805268) （11805268）

中国科学院"西部青年学者"基金资助项目(2021-XBQNXZ-021) （2021-XBQNXZ-021）

中国科学院青年创新促进会基金资助项目(2018473) （2018473）

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文