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环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

蒲晓娟 冯皓楠 梁晓雯 魏莹 余学峰 郭旗

太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：908-914,7.
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太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：908-914,7.DOI:10.11805/TKYDA2022008

环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

Impacts of ambient temperature on the total ionizing dose effect of SiC MOSFET

蒲晓娟 1冯皓楠 2梁晓雯 3魏莹 1余学峰 2郭旗3

作者信息

  • 1. 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 3. 中国科学院大学,北京 100049
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摘要

关键词

SiC金属氧化物半导体/总剂量效应/温度/静态参数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蒲晓娟,冯皓楠,梁晓雯,魏莹,余学峰,郭旗..环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):908-914,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11805268) （11805268）

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

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