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不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究

杨智康 文林 周东 李豫东 冯婕 郭旗

太赫兹科学与电子信息学报2022,Vol.20Issue(9):915-921,7.
太赫兹科学与电子信息学报2022,Vol.20Issue(9):915-921,7.DOI:10.11805/TKYDA2022009

不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究

Damage mechanism of γ-ray and proton radiation effects of CCD under different bias conditions

杨智康 1文林 2周东 1李豫东 1冯婕 1郭旗1

作者信息

  • 1. 中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

电荷耦合器件/电离总剂量效应/位移损伤效应/偏置条件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨智康,文林,周东,李豫东,冯婕,郭旗..不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):915-921,7.

基金项目

中科院西部之光计划资助项目(2020-XBQNXZ-004) (2020-XBQNXZ-004)

国家自然科学基金资助项目(12175308) (12175308)

中国科学院青年创新促进会资助项目(20211437) (20211437)

太赫兹科学与电子信息学报

2095-4980

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