太赫兹科学与电子信息学报2022，Vol.20Issue(9)：922-926,933,6.DOI:10.11805/TKYDA2022010
HEMT器件质子辐射效应仿真
Simulation of proton radiation effect in HEMT devices
摘要
关键词
GaN材料/HEMT器件/MIS-HEMT器件/质子辐射仿真分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
马毛旦,曹艳荣,吕航航,王志恒,任晨,张龙涛,吕玲,郑雪峰,马晓华..HEMT器件质子辐射效应仿真[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(9):922-926,933,6.基金项目
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