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光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应

刘丹 赵永强 宁智勇 方皓岚 黄中浩 刘毅 吴旭 闵泰烨 管飞 方亮 齐成军 谌伟

液晶与显示2022，Vol.37Issue(10)：1317-1325,9.
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液晶与显示2022，Vol.37Issue(10)：1317-1325,9.DOI:10.37188/CJLCD.2022-0160

光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应

Parasitic gate effect in photo-resist strip process

刘丹 1赵永强 2宁智勇 1方皓岚 1黄中浩 1刘毅 1吴旭 3闵泰烨 1管飞 1方亮 1齐成军 2谌伟1

作者信息

  • 1. 重庆京东方光电科技有限公司,重庆400700
  • 2. 重庆大学物理学院,重庆400044
  • 3. 中国科学院大学重庆学院,重庆400714
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/光刻胶剥离/Al离子/寄生栅极效应/发明问题解决理论

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘丹,赵永强,宁智勇,方皓岚,黄中浩,刘毅,吴旭,闵泰烨,管飞,方亮,齐成军,谌伟..光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应[J].液晶与显示,2022,37(10):1317-1325,9.

基金项目

重庆市自然科学基金(No.cstc2019jcyj-msxmX0566) （No.cstc2019jcyj-msxmX0566）

重庆京东方光电科技有限公司科技攻关项目(No.212927) （No.212927）

重庆大学大型仪器开放基金(202203150041) （202203150041）

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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