中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(18)：6823-6834,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.211880
SiC MOSFET栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法
Gate-source Voltage Evaluation and Parameter Optimized Designed Method of Driving Circuit for SiC MOSFET
摘要
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应管/寄生参数/栅源电压/驱动参数设计分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
秦海鸿,谢斯璇,卜飞飞,陈文明,黄文新..SiC MOSFET栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法[J].中国电机工程学报,2022,42(18):6823-6834,12.基金项目
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室开放基金(2019KF001) （2019KF001）
国家自然科学基金项目(51677089). （51677089）
