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基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET简化短路保护电路研究

项鹏飞 郝瑞祥 郝一 游小杰 卜宪德

中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(19)：7194-7204,中插24,12.
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中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(19)：7194-7204,中插24,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.211550

基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET简化短路保护电路研究

Simplified Short-circuit Protect Circuits Based on PCB Rogowski Coils for SiC MOSFETs

项鹏飞 1郝瑞祥 1郝一 2游小杰 1卜宪德2

作者信息

  • 1. 北京交通大学电气工程学院,北京市 海淀区 100044
  • 2. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/短路/短路保护/PCB罗氏线圈/电流变化率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

项鹏飞,郝瑞祥,郝一,游小杰,卜宪德..基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET简化短路保护电路研究[J].中国电机工程学报,2022,42(19):7194-7204,中插24,12.

基金项目

中央高校基本科研业务费专项资金项目(2020YJS165). （2020YJS165）

中国电机工程学报

OA北大核心CSTPCD

0258-8013

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