| 注册
首页|期刊导航|中阿科技论坛(中英文)|基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征

基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征

何俊奇 李汶懋

中阿科技论坛(中英文)Issue(9):P.1-7,7.
中阿科技论坛(中英文)Issue(9):P.1-7,7.

基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征

何俊奇 1李汶懋2

作者信息

  • 1. 南方科技大学,广东深圳518055
  • 2. 南方科技大学深港微电子学院,广东深圳518055
  • 折叠

摘要

关键词

CO/气体传感器/GaN/HEMT

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何俊奇,李汶懋..基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征[J].中阿科技论坛(中英文),2022,(9):P.1-7,7.

中阿科技论坛(中英文)

2096-7268

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文