南通大学学报：自然科学版2022，Vol.21Issue(3)：P.42-49,8.DOI:10.12194/j.ntu.20210917002
单区JTE终端结构4H-SiC PIN雪崩二极管击穿特性研究
摘要
关键词
碳化硅/二极管/结终端扩展/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈红富,王奕锦,俞彦伟,陈志鹏,何嘉诚,高子建,罗曼,余晨辉..单区JTE终端结构4H-SiC PIN雪崩二极管击穿特性研究[J].南通大学学报：自然科学版,2022,21(3):P.42-49,8.基金项目
国家自然科学基金面上项目(62074085) （62074085）
国家自然科学基金青年科学基金项目(62104118)。 （62104118）
