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6.5kV SiC MOSFET模块加权优化设计与实验研究

尚海 梁琳 王以建 杨英杰

电工技术学报2022,Vol.37Issue(19):4911-4922,12.
电工技术学报2022,Vol.37Issue(19):4911-4922,12.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.212033

6.5kV SiC MOSFET模块加权优化设计与实验研究

Weighted Optimization Design and Experimental Study of 6.5kV SiC MOSFET Module

尚海 1梁琳 1王以建 1杨英杰1

作者信息

  • 1. 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院) 武汉 430074
  • 折叠

摘要

关键词

高压SiC MOSFET/封装/多物理场/多目标加权优化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

尚海,梁琳,王以建,杨英杰..6.5kV SiC MOSFET模块加权优化设计与实验研究[J].电工技术学报,2022,37(19):4911-4922,12.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905700). (2018YFB0905700)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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