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GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究

王保柱 赵晋源 苏雪平 张明 杨琳 侯卫民

电子器件2022,Vol.45Issue(3):538-544,7.
电子器件2022,Vol.45Issue(3):538-544,7.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2022.03.006

GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究

Life Prediction Methods and Theoretical Research of GaN HEMT Devices

王保柱 1赵晋源 1苏雪平 1张明 1杨琳 1侯卫民1

作者信息

  • 1. 河北科技大学信息科学与工程学院,河北 石家庄050018
  • 折叠

摘要

关键词

GaN HEMT/可靠性/寿命预测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王保柱,赵晋源,苏雪平,张明,杨琳,侯卫民..GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究[J].电子器件,2022,45(3):538-544,7.

基金项目

河北省自然科学基金项目(F2020208005) (F2020208005)

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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