电子器件2022，Vol.45Issue(4)：855-859,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2022.04.016
超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究
Research on the Simulation of Ultra-Wide Band Gap Semiconductor α-Ga2O3 Schottky Diode
摘要
关键词
α-Ga2O3/垂直型肖特基二极管(SBD)/场板/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
贾晓萍,宁平凡,杨邻峰,李雄杰,牛萍娟..超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究[J].电子器件,2022,45(4):855-859,5.基金项目
天津市教委科研计划重点项目(2018ZD15) （2018ZD15）
