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CMOS图像传感器中子位移辐照损伤效应仿真模拟研究

王祖军 杨勰 赖善坤 薛院院 聂栩 黄港 贾同轩 何宝平 马武英 缑石龙

现代应用物理2022，Vol.13Issue(3)：P.150-157,8.
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现代应用物理2022，Vol.13Issue(3)：P.150-157,8.

CMOS图像传感器中子位移辐照损伤效应仿真模拟研究

王祖军 1杨勰 2赖善坤 3薛院院 1聂栩 3黄港 3贾同轩 3何宝平 1马武英 1缑石龙1

作者信息

  • 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验,西安710024
  • 2. 西安高科技研究所,西安710025
  • 3. 湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭411105
  • 折叠

摘要

关键词

PPD CMOS图像传感器/位移损伤/中子辐照/暗信号/电荷转移损失/仿真模拟

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王祖军,杨勰,赖善坤,薛院院,聂栩,黄港,贾同轩,何宝平,马武英,缑石龙..CMOS图像传感器中子位移辐照损伤效应仿真模拟研究[J].现代应用物理,2022,13(3):P.150-157,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(U2167208,11875223,11805155) （U2167208,11875223,11805155）

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803,SKLIPR1903Z,SKLIPR2012)。 （SKLIPR1803,SKLIPR1903Z,SKLIPR2012）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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