InAs/GaSbⅡ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究OA北大核心CSTPCD
ICP Dry Etching of Type Ⅱ InAs/GaSb Superlattice Long-wavelength Focal Plane Arrays
本文采用SiO2/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能.对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究,通过增加SiO2膜层厚度以及减小Ar气流量,可有效减少台面侧向钻蚀;通过减小下电极射频功率(RF),可有效消除台面底部钻蚀.采用适当厚度的SiO2/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得…查看全部>>
王海澎;李东升;孔金丞;木迎春;彭秋思;黄佑文;李俊斌;龚晓丹;刘玥;敖雨;周旭昌
昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223
信息技术与安全科学
InAs/GaSbⅡ类超晶格SiO2/SiN掩膜ICP刻蚀
《红外技术》 2022 (10)
1027-1032,6
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