红外技术2022，Vol.44Issue(10)：1027-1032,6.
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究
ICP Dry Etching of Type Ⅱ InAs/GaSb Superlattice Long-wavelength Focal Plane Arrays
王海澎 1李东升 1孔金丞 1木迎春 1彭秋思 1黄佑文 1李俊斌 1龚晓丹 1刘玥 1敖雨 1周旭昌1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
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摘要
关键词
InAs/GaSbⅡ类超晶格/SiO2/SiN掩膜/ICP刻蚀分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王海澎,李东升,孔金丞,木迎春,彭秋思,黄佑文,李俊斌,龚晓丹,刘玥,敖雨,周旭昌..InAs/GaSbⅡ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究[J].红外技术,2022,44(10):1027-1032,6.
