物理学报2022，Vol.71Issue(20)：241-257,17.DOI:10.7498/aps.71.20220911
铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能
Resistive properties of CuInS2 quantum dots regulated by niobium-doped lead zirconate titanate ferroelectric films
摘要
关键词
CuInS2量子点/Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/阻变存储器/界面调控引用本文复制引用
朱茂聪,邵雅洁,周静,陈文,王志青,田晶..铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能[J].物理学报,2022,71(20):241-257,17.基金项目
湖北省重点研发计划(批准号:2021BAA214)和武汉理工大学三亚科教园开放基金(批准号:2020KF0026,2021KF0013)资助的课题. （批准号:2021BAA214）
