首页|期刊导航|物理学报|2.45 GHz微波无线能量传输用Ge基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管

2.45 GHz微波无线能量传输用Ge基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管

毕思涵宋建军张栋张士琦

物理学报2022，Vol.71Issue(20)：316-325,10.

物理学报2022，Vol.71Issue(20)：316-325,10.DOI:10.7498/aps.71.20220855

A Ge-based dual channel rectified single ended Schottky barrier field effect transistor for 2.45 GHz microwave wireless energy transmission

毕思涵 ¹宋建军 ¹张栋 ²张士琦¹

作者信息

无线能量传输/肖特基势垒场效应晶体管/肖特基接触/整流效率

毕思涵,宋建军,张栋,张士琦..2.45 GHz微波无线能量传输用Ge基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管[J].物理学报,2022,71(20):316-325,10.

高等学校学科创新引智计划(批准号:B12026)和智能可重构通用系统技术研究(批准号:F020250058)资助的课题. （批准号:B12026）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

访问量0

下载量0

段落导航