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一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型

李鑫 罗毅飞 史泽南 王瑞田 肖飞

电工技术学报2022，Vol.37Issue(20)：P.5214-5226,13.
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电工技术学报2022，Vol.37Issue(20)：P.5214-5226,13.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210225

一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型

李鑫 1罗毅飞 1史泽南 2王瑞田 1肖飞1

作者信息

  • 1. 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室,武汉430033
  • 2. 西安交通大学电气工程学院,西安710049
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摘要

关键词

SiC MOSFET/电路模型/静态特性/瞬态特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李鑫,罗毅飞,史泽南,王瑞田,肖飞..一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型[J].电工技术学报,2022,37(20):P.5214-5226,13.

基金项目

JCJQ计划(2020-JCJQ-ZD-105) （2020-JCJQ-ZD-105）

国家重点研发计划(2019YFC0119101)资助项目。 （2019YFC0119101）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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