原子能科学技术2022，Vol.56Issue(10)：P.2187-2194,8.DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0726
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
彭超 1雷志锋 1张鸿 1张战刚 1何玉娟1
作者信息
- 1. 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广东广州511370
- 折叠
摘要
关键词
双极晶体管/总剂量效应/深能级瞬态谱/辐射损伤缺陷分类
能源科技引用本文复制引用
彭超,雷志锋,张鸿,张战刚,何玉娟..硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究[J].原子能科学技术,2022,56(10):P.2187-2194,8.
