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B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷电气性能的影响

程宽 赵洪峰 周远翔

电瓷避雷器Issue(5)：108-112,118,6.
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电瓷避雷器Issue(5)：108-112,118,6.DOI:10.16188/j.isa.1003-8337.2022.05.017

B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷电气性能的影响

Influence of B2O3 and Ga2O3 Doping on the Electrical Properties of ZnO Varistor Ceramics

程宽 1赵洪峰 1周远翔2

作者信息

  • 1. 新疆大学电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室,乌鲁木齐830046
  • 2. 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室,北京100084
  • 折叠

摘要

关键词

通流容量/非线性系数/电压梯度/泄漏电流

引用本文复制引用

程宽,赵洪峰,周远翔..B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷电气性能的影响[J].电瓷避雷器,2022,(5):108-112,118,6.

基金项目

国家自然科学基金重点资助项目(编号:51762038). （编号:51762038）

电瓷避雷器

OA北大核心

1003-8337

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