| 注册
首页|期刊导航|发光学报|无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件光电性能

无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件光电性能

许海龙 陈孔杰 陈培崎 周雄图 郭太良 吴朝兴 张永爱

发光学报2022,Vol.43Issue(10):1592-1600,9.
发光学报2022,Vol.43Issue(10):1592-1600,9.DOI:10.37188/CJL.20220237

无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件光电性能

Photoelectric Characteristics of Non-electric Contact GaN-based Micro-LED Device

许海龙 1陈孔杰 1陈培崎 1周雄图 1郭太良 2吴朝兴 1张永爱2

作者信息

  • 1. 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350116
  • 2. 中国福建光电信息科学与技术创新实验室,福建 福州 350108
  • 折叠

摘要

关键词

Micro-LED器件/氮化镓/无电学接触/交流驱动/光电特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许海龙,陈孔杰,陈培崎,周雄图,郭太良,吴朝兴,张永爱..无电学接触型氮化镓基Micro-LED器件光电性能[J].发光学报,2022,43(10):1592-1600,9.

基金项目

国家重点研发计划(2021YFB3600402) (2021YFB3600402)

闽都创新实验室自主部署项目(2021ZZ111,2021ZZ130)资助 (2021ZZ111,2021ZZ130)

发光学报

OA北大核心CSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文