液晶与显示2022，Vol.37Issue(11)：1439-1445,7.DOI:10.37188/CJLCD.2022-0180
溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响
Effect of sputtering power on properties of W-doped ZnO thin film transistors
摘要
关键词
薄膜晶体管/氧化锌钨薄膜/钨的溅射功率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李慧,杨小天,王艳杰,王超,杨帆,聂晓渊..溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响[J].液晶与显示,2022,37(11):1439-1445,7.基金项目
吉林省科技发展计划(No.YDZJ202201ZYTS430,No.20200201177JC) （No.YDZJ202201ZYTS430,No.20200201177JC）
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吉林省科技计划(No.20210203021SF,No.2022-KL-09) （No.20210203021SF,No.2022-KL-09）
