|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|4H碳化硅单晶中的位错

4H碳化硅单晶中的位错

杨光 刘晓双 李佳君 徐凌波 崔灿 皮孝东 杨德仁 王蓉

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1673-1690,18.
✕
人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1673-1690,18.

4H碳化硅单晶中的位错

Dislocations in 4 H Silicon Carbide Single Crystals

杨光 1刘晓双 2李佳君 2徐凌波 3崔灿 2皮孝东 3杨德仁 1王蓉1

作者信息

  • 1. 浙江理工大学物理系,浙江省光场调控技术重点实验室,杭州 310018
  • 2. 浙江大学杭州国际科创中心,杭州 311200
  • 3. 浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
  • 折叠

摘要

关键词

4H碳化硅/位错/单晶/外延/电学性质/光学性质

分类

化学化工

引用本文复制引用

杨光,刘晓双,李佳君,徐凌波,崔灿,皮孝东,杨德仁,王蓉..4H碳化硅单晶中的位错[J].人工晶体学报,2022,51(9):1673-1690,18.

基金项目

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划(2022C01021) （2022C01021）

国家重点研发计划(2018YFB2200101) （2018YFB2200101）

国家自然科学基金重大研究计划项目(91964107) （91964107）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文