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Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展

何峰 白旭东 陆欣昱 郑树颍 李荣斌 刘学超 魏天然 史迅 金敏

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1722-1731,10.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1722-1731,10.

Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展

Research Progress of Ⅲ-Ⅵ Group InSe Semiconductor Crystal Growth

何峰 1白旭东 2陆欣昱 1郑树颍 3李荣斌 4刘学超 4魏天然 4史迅 5金敏6

作者信息

  • 1. 上海理工大学材料与化学学院,上海 200093
  • 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100
  • 3. 乌镇实验室,桐乡 314500
  • 4. 上海电机学院材料学院,上海 201306
  • 5. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899
  • 6. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海 200240
  • 折叠

摘要

关键词

InSe/半导体/晶体生长/垂直布里奇曼法

分类

数理科学

引用本文复制引用

何峰,白旭东,陆欣昱,郑树颍,李荣斌,刘学超,魏天然,史迅,金敏..Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(9):1722-1731,10.

基金项目

上海市教委曙光计划 （）

国家重点研发计划(2021YFA0716304) （2021YFA0716304）

山东大学晶体材料国家重点实验室开放基金(KF2004) （KF2004）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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