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8英寸导电型4H-SiC单晶的生长

杨祥龙 陈秀芳 谢雪健 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1745-1748,4.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1745-1748,4.

8英寸导电型4H-SiC单晶的生长

Growth of 8 Inch Conductivity Type 4 H-SiC Single Crystals

杨祥龙 1陈秀芳 2谢雪健 1彭燕 2于国建 1胡小波 2王垚浩 1徐现刚2

作者信息

  • 1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100
  • 2. 广州南砂晶圆半导体技术有限公司,广州 511458
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摘要

关键词

SiC单晶衬底/8英寸/物理气相传输法/微管密度/电阻率

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨祥龙,陈秀芳,谢雪健,彭燕,于国建,胡小波,王垚浩,徐现刚..8英寸导电型4H-SiC单晶的生长[J].人工晶体学报,2022,51(9):1745-1748,4.

基金项目

国家自然科学基金(51902182,52022052) （51902182,52022052）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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