人工晶体学报2022，Vol.51Issue(9)：1749-1753,5.
4英寸氧化镓单晶生长与性能
Growth and Properties of 4 Inch β-Ga2 O3 Single Crystal
摘要
关键词
氧化镓/宽禁带半导体/缺陷/晶体生长/导模法/单晶分类
数理科学引用本文复制引用
穆文祥,贾志泰,陶绪堂..4英寸氧化镓单晶生长与性能[J].人工晶体学报,2022,51(9):1749-1753,5.基金项目
广东省重点领域研发计划(2020B010174002) （2020B010174002）
国家自然科学基金(51932004,52002219) （51932004,52002219）
