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外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控

梁前钱国林罗祥燕梁永超谢泉

物理学报2022，Vol.71Issue(21)：274-282,9.

物理学报2022，Vol.71Issue(21)：274-282,9.DOI:10.7498/aps.71.20220882

外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控

Modulation of MoSH/WSi2N4 Schottky-junction barrier by external electric field and biaxial strain

梁前 ¹钱国林 ¹罗祥燕 ¹梁永超 ¹谢泉¹

作者信息

1. 贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
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摘要

关键词

WSi2N4/MoSH/金属-半导体接触/肖特基接触

引用本文复制引用

梁前,钱国林,罗祥燕,梁永超,谢泉..外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控[J].物理学报,2022,71(21):274-282,9.

基金项目

贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(批准号:2020-520000-83-01-324061)、国家自然科学基金(批准号:61264004)和贵州省高层次创新型人才培养项目(批准号:黔科合人才[2015]4015)资助的课题. （批准号:2020-520000-83-01-324061）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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